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三種ESD模型介紹及等效電路圖和其ESD等級(jí)

time發(fā)布時(shí)間:2021-05-27 15:49
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1. HBM:人體模型:

該模型表征人體帶電接觸裝置的放電,Rb是等效人體電阻,Cb是等效人體電容。 等效電路如下圖所示。 該圖還顯示了設(shè)備的HBM模型的ESD級(jí)別。  
ESD人體模型的等效電路圖及其ESD等級(jí)
ESD人體模型的等效電路圖及其ESD等級(jí)

2.MM:機(jī)器模型:

機(jī)器模型的等效電路類(lèi)似于 人體模型,但等效電容(Cb)為200pF,等效電阻為0。機(jī)器模型和人體模型有很大的不同。 實(shí)際上,機(jī)器的存儲(chǔ)電容變化很大,但是為了描述的統(tǒng)一性,取200pF。 由于機(jī)器模型在放電時(shí)沒(méi)有電阻,并且存儲(chǔ)電容大于人體模型,因此在相同電壓下對(duì)設(shè)備的損壞要比人體模型大得多。  
ESD機(jī)器模型的等效電路圖及其ESD等級(jí)
ESD機(jī)器模型的等效電路圖及其ESD等級(jí)

3. CDM:帶電設(shè)備模型:

半導(dǎo)體器件主要使用三種類(lèi)型的封裝(金屬 ,陶瓷,塑料)。 在組裝,轉(zhuǎn)移,測(cè)試,測(cè)試,運(yùn)輸和存儲(chǔ)期間,由于管殼與其他絕緣材料(例如用于包裝的塑料袋,用于運(yùn)輸?shù)乃芰先萜鞯龋┲g的摩擦,將對(duì)管殼充電。 該設(shè)備本身充當(dāng)電容器的極板以存儲(chǔ)電荷。  CDM模型的建立是基于當(dāng)被充電的設(shè)備通過(guò)引腳與地面接觸時(shí),由于地面放電而引起的設(shè)備故障。 被充電設(shè)備的模型如下:
ESD充電設(shè)備模型的等效電路圖及其ESD等級(jí)

ESD充電設(shè)備模型的等效電路圖及其ESD等級(jí)

通常根據(jù)以上三個(gè)模型對(duì)設(shè)備的ESD等級(jí)進(jìn)行測(cè)試。 大多數(shù)ESD敏感設(shè)備手冊(cè)都包含設(shè)備的ESD數(shù)據(jù)。 通常,給出了HBM和MM。  
可以通過(guò)設(shè)備的ESD數(shù)據(jù)了解設(shè)備的ESD特性,但應(yīng)注意,設(shè)備每個(gè)引腳的ESD特性差異很大,某些引腳的ESD電壓會(huì)有所不同。 特別低。 一般來(lái)說(shuō),高速端口,高阻抗輸入端口和模擬端口的ESD電壓會(huì)相對(duì)較低。  
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